IRFI734G
Výrobca Číslo produktu:

IRFI734G

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFI734G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 450 V 3.4A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

12912857
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFI734G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
450 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
680 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IRFI734

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFI734G

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
TK8A45D(STA4,Q,M)
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK8A45D(STA4,Q,M)-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI4104DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO

vishay-siliconix

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP

vishay-siliconix

SI7366DP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4430BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO