Výrobca Číslo produktu:
SIHB22N65E-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHB22N65E-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12786725
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHB22N65E-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2415 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
227W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SIHB22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHB22N65E-GE3CT
SIHB22N65E-GE3TR-DG
SIHB22N65E-GE3TRINACTIVE
SIHB22N65E-GE3CT-DG
SIHB22N65E-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCB20N60FTM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2398
ČÍSLO DIELU
FCB20N60FTM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.61
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
845
ČÍSLO DIELU
STB20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPB60R160C6ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3347
ČÍSLO DIELU
IPB60R160C6ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1748
ČÍSLO DIELU
STB21N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
250
ČÍSLO DIELU
IXFA22N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.56
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHLL110TR-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI8816EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
